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参数资料
| 型号： | 2SB1124-T |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | 2SB1124-T |
2SB1124/2SD1624
No.2019—2/4
Switching Time Test Circuit
r
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t
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a
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Pl
o
b
m
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s
(
E
B
IC
I
,
A
2
)
–
(
=
B
A
m
0
1
)
–
(
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4
9
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–
(2
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–
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O
B
C
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R
B
(
IC
I
,
A
0
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)
–
(
=
E 0
=0
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)
–
(V
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B
(
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R
,
A
m
1
)
–
(
=
E
B =∞
0
5
)
–
(V
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g
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t
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B
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B
(
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I
,
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(
=
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–
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i
c
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p
s
e
S
5
3s
n
)
5
3
(s
n
Continued from preceding page.
VR
RB
25V
--5V
+
50
INPUT
OUTPUT
25
100F
470F
PW=20s
10IB1= --10IB2=IC=1A
(For PNP, the polarity is reversed.)
IB1
D.C.≤1%
IB2
--5.0
--3.0
--2.0
--1.0
--4.0
--4.5
--2.5
--1.5
--0.5
--3.5
0
0--0.4
--0.8
--2.0
--1.6
--1.2
IC -- VCE
IB=0
ITR08907
2SB1124
--5mA
--10mA
--20mA
--50mA
--100mA
--200mA
--2.0
--1.2
--0.8
--0.4
--1.6
--1.8
--1.0
--0.6
--0.2
--1.4
0
0--4
--8--20
--16
--12
--2
--6
--18
--14
--10
IC -- VCE
IB=0
ITR08909
2SB1124
--2mA
--4mA
--6mA
--8mA
--14mA
--12mA
--10mA
5.0
3.0
2.0
1.0
4.0
4.5
2.5
1.5
0.5
3.5
0
0.4
0.8
2.0
1.6
1.2
IC -- VCE
IB=0
ITR08908
2SD1624
5mA
10mA
20mA
80mA
60mA
40mA
100mA
2.0
1.2
0.8
0.4
1.6
1.8
1.0
0.6
0.2
1.4
0
04
8
20
16
12
26
18
14
10
IC -- VCE
IB=0
ITR08910
2SD1624
2mA
1mA
3mA
4mA
6mA
5mA
8mA
7mA
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1132T100/PR | 1 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1132T100PQ | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1132T100/PQ | 1 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1132T100PR | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1132T100QR | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1124T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1124T-TD-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1124T-TD-SSC | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述: |
| 2SB1124U | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-89 |
| 2SB1125 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Driver Applications |
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