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参数资料
| 型号： | 2SB1131-T |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MP, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 2SB1131-T |
2SB1131
No.2420-3/4
A S O
--1.0
2
5
3
2
5
3
5
--10
--0.1
5
33
7
25
37
22
--1.0
--0.1
--10
ICP=–8A
100ms10ms
DC
operation
1ms
IC=–5A
ITR08963
5
--0.01
23
5
2
3
5
23
5
--0.1
--1.0
--10
IC / IB=50
VBE(sat) -- IC
--1.0
--10
7
5
3
2
7
3
5
ITR08962
0
1.2
1.0
0.6
0.8
0.2
0.4
20
060
40
80
100
140
120
160
PC -- Ta
ITR08964
Cob -- VCB
3
2
3
2
7
5
100
37
2
--1.0
--10
5
37
53
2
ITR08960
f=1MHz
Ta=25
°C
Single pulse
--0.1
--1.0
23
5
23
5
23
5
--10
--0.01
--1000
--10
--100
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
VCE(sat) -- IC
ITR08961
IC / IB
=50
20
10
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
mV
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector
Dissipation,
P
C
–
W
Ambient Temperature, Ta –C
hFE -- IC
VCE= --2V
ITR08958
100
1000
5
7
3
2
5
7
3
2
10
--0.1
--1.0
3
25
3
25
3
25
5
--10
--0.01
VCE= --5V
--0.1
--1.0
3
25
3
25
3
25
5
--10
--0.01
f T -- IC
100
7
5
3
2
7
5
2
1000
ITR08959
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Collector Current, IC – A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1132-R-TP | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1132-P-TP | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1140-S-TP | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1144-SA | 1.5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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