参数资料
型号: 2SB1143-S
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 4 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封装: TO-126ML, 3 PIN
文件页数: 2/4页
文件大小: 48K
代理商: 2SB1143-S
2SB1143/2SD1683
No.2063–2/4
Switching Time Test Circuit
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
i
t
i
d
n
o
C
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c
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a
C
t
u
p
t
u
OC b
o
V B
C
z
H
M
1
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V
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1
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(
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2
)
9
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V
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t
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s
(
E
C
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I
,
A
2
)
(
=
B
A
m
0
1
)
(
=
)
0
5
3
()
0
7
(V
m
0
9
10
0
5V
m
e
g
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l
o
V
n
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t
a
r
u
t
a
S
r
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t
i
m
E
-
o
t
-
e
s
a
BV
)
t
a
s
(
E
B
IC
I
,
A
2
)
(
=
B
A
m
0
1
)
(
=4
9
.
0
)
(2
.
1
)
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
e
s
a
B
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
0
1
)
(
=
E 0
=0
6
)
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
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r
B
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m
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o
CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
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1
)
(
=
E
B =∞
0
5
)
(V
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g
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l
o
V
n
w
o
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k
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B
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i
m
EV
O
B
E
)
R
B
(
IE
I
,
A
0
1
)
(
=
C 0
=6
)
(V
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m
i
T
N
O
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C
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f
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e
S0
7
)
0
7
(s
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St g
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T
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S
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0
5
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f
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c
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p
s
e
S5
3
)
0
3
(s
n
Continued from preceding page.
IC=10IB1= --10IB2=1A
(For PNP, the porarity is reversed.)
VR
RB
VCC=25V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
25
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
--5
--3
--2
--1
--4
0
--0.4
--0.8
--2.0
--1.6
--1.2
IC -- VCE
IB=0
ITR09047
2SB1143
--5mA
--10mA
--20mA
--50mA
--100mA
--200mA
--2.0
--1.2
--0.8
--0.4
--1.6
0
--4
--8
--20
--16
--12
IC -- VCE
IB=0
ITR09049
2SB1143
--2mA
--4mA
--6mA
--8mA
--14mA
--12mA
--10mA
5
3
2
1
4
0
0.4
0.8
2.0
1.6
1.2
IC -- VCE
IB=0
ITR09048
2SD1683
5mA
10mA
20mA
80mA
60mA
40mA
100mA
2.0
1.2
0.8
0.4
1.6
0
04
8
20
16
12
IC -- VCE
IB=0
ITR09050
2SD1683
2mA
1mA
3mA
4mA
6mA
5mA
8mA
7mA
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
相关PDF资料
PDF描述
2SB1143U 4 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SB1143-R 4 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SD1683-S 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SD1683 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SD1683-R 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
相关代理商/技术参数
参数描述
2SB1143T 功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1143U 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-126
2SB1144 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:100V/1.5A Switching Applications
2SB1144Q 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
2SB1144R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126