- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录31649 > 2SB1143-S 4 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SB1143-S |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | TO-126ML, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2SB1143-S |
2SB1143/2SD1683
No.2063–3/4
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.4
--1.2
--1.0
--4.8
--4.0
--3.2
--2.4
--1.6
--0.8
0
IC -- VBE
ITR09051
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
2SB1143
VCE= --2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.4
1.2
1.0
4.8
4.0
3.2
2.4
1.6
0.8
0
IC -- VBE
ITR09052
Ta
=
7
5°
C
25
°C
--25
°C
2SD1683
VCE=2V
23
5
0.1
10
23
5
0.01
23
5 7
7
1.0
f T -- IC
100
10
2
5
7
1000
7
5
3
2
3
ITR09055
2SB1143
2SD1683
Cob -- VCB
1.0
10
7
3
5
100
10
2
3
5
2
27
35
100
27
35
ITR09056
hFE -- IC
2
3
5
7
1000
2
3
5
7
100
10
23
5
--0.01
23
5
--0.1
23
7
--1.0
ITR09053
2SB1143
VCE= --2V
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
hFE -- IC
2
3
5
7
1000
2
3
5
7
100
10
23
5
0.01
23
5
0.1
23
7
1.0
ITR09054
Ta=75°C
25
°C
--25°C
2SD1683
VCE=2V
2
5
7
3
2
5
7
3
2
5
3
--1000
--10
--100
23
5
7
77
--0.01
23
5
3
5
--0.1
2
--1.0
ITR09057
VCE(sat) -- IC
2SB1143
IC / IB=20
75°C
25°
C
Ta= -
-25°C
2
5
7
3
2
5
7
3
2
5
3
1000
10
100
23
5
7
77
0.01
23
5
3
5
0.1
2
1.0
ITR09058
VCE(sat) -- IC
25°C
Ta=75°C
--25°
C
2SD1642
IC / IB=20
2SB1143 /
2SD1683
VCE=10V
2SB1143
2SD1683
2SB1143 /
2SD1683
f=1MHz
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
For PNP, minus sign is omitted.
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Collector Current, IC –A
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
m
V
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
m
V
Collector Current, IC –A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1143U | 4 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB1143-R | 4 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SD1683-S | 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SD1683 | 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SD1683-R | 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1143T | 功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1143U | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-126 |
| 2SB1144 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:100V/1.5A Switching Applications |
| 2SB1144Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| 2SB1144R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。