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参数资料
| 型号： | 2SB1181/R |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | 2SB1181/R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1182/P | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2118/QS | 10000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1760/QR | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1181/P | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1832C7/EF | 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1181TLP | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1181TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1181TLR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1182 | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:PNP PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS |
| 2SB1182D | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:PNP Silicon General Purpose Transistor |
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