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参数资料
| 型号： | 2SB1182TL/PR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | 2SB1182TL/PR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2153T101/U | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1189T101/QR | 0.7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1316F5 | 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4939TR/EF | 12 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1189T100/PQ | 0.7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1182TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1182TLQ/R | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, PNP, Driver, -32V, -2A, CPT |
| 2SB1182TLR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1183 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR CPT -40V -2A 15W BCE |
| 2SB1183F5 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 40V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
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