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参数资料
| 型号： | 2SB1188T100/P |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, SC-62, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | 2SB1188T100/P |
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240
Transistors
Rev.A
1/3
Medium power transistor (
32V, 2A)
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240
Features
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) =
0.5V (Typ.)
(IC/IB =
2A / 0.2A)
2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 /
2SD1862.
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
External dimensions (Unit : mm)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
2SB1188
2SB1240
2SB1182
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM :
ATV
1.0
6.8
±0.2
2.5
±0.2
1.05
0.45
±0.1
2.54 2.54
0.5
±0.1
0.9
4.4
±
0.2
14.5
±
0.5
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
0.1
+
0.2
0.05
+0.1
0.1
+0.2
0.1
(3)
(2)
(1)
1.0
±
0.2
0.5
±
0.1
4.0
±
0.3
2.5
3.0
±0.2
1.5
±0.1
1.5
±0.1
0.4
±0.1
0.5
±0.1
0.4
±0.1
0.4
1.5
4.5
1.6
±0.1
0.1
+0.2
0.1
+0.2
+
0.3
0.1
2.3
±0.2
2.3
±0.2
0.65
±0.1
0.9
0.75
1.0
±0.2
0.55
±0.1
9.5
±
0.5
5.5
1.5
±
0.3
2.5
1.5
2.3
0.5
±0.1
6.5
±0.2
5.1
C0.5
(3)
(2)
(1)
0.9
Abbreviated symbol: BC
Denotes hFE
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
1 Single pulse, Pw=100ms
2 When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.
3 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm2 or larger.
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
PC
Tj
Tstg
40
V
A(DC)
W
W (Tc
=25
°C)
W
°C
32
5
2
IC
A (Pulse)
3
0.5
2
10
1
2
1
3
2SB1188
2SB1182
2SB1240
150
55 to 150
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
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PDF描述 |
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