参数资料
型号: 2SB1203QTP-FA
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: TP-FA, 3 PIN
文件页数: 3/5页
文件大小: 100K
代理商: 2SB1203QTP-FA
2SB1203/2SD1803
No.2085—3/5
--5
--4
--3
--2
--1
2SB1203
From top
--100mA
--90mA
--80mA
--70mA
--60mA
2SD1803
From top
50mA
45mA
40mA
35mA
30mA
IC -- VCE
IB=0
10mA
20mA
15mA
25mA
5mA
ITR09181
0
0--2.0
--1.6
--0.4
--0.8
--1.2
IC -- VCE
--10mA
--50mA
--20mA
--30mA
--40mA
IB=0
ITR09180
5
4
3
2
1
0
0.8
2.0
0.4
1.2
1.6
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
hFE -- IC
Ta=75°C
--25°C
25°C
Ta=75°C
--25°C
25
°C
ITR09186
100
1000
5
7
3
2
10
5
7
3
2
100
1000
5
7
3
2
10
5
7
3
2
0.01
0.1
1.0
--1.0
--0.1
3
25
57
3
25 7
--10
3
25 7
7
3
25
57
3
25 7
10
3
25 7
7
--0.01
hFE -- IC
ITR09187
2SB1203
VCE= --2V
2SD1803
VCE=2V
2SB1203
VCE= --2V
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
--6
--5
--4
--3
--1
--2
0
6
5
1
2
4
3
0
0--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
IC -- VBE
ITR09184
2SD1803
VCE=2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
IC -- VBE
ITR09185
--5
--4
--3
--2
--1
2SB1203
2SD1803
IC -- VCE
IB=0
30mA
25mA
20mA
15mA
10mA
5mA
ITR09183
0
0--10
--8
--2
--4
--6
IC -- VCE
--10mA
--15mA
--20mA
--25mA
--30mA
--5mA
IB=0
ITR09182
5
4
3
2
1
0
04
10
26
8
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
Collector
Current,
I C
—A
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC —A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC —A
相关PDF资料
PDF描述
2SB1203TTP 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1203STP-FA 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1203QTP 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1803TP-FA 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1203TP-FA 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SB1203S 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:
2SB1203SE 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:
2SB1203S-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1203S-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1203S-H-TL-E 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2