参数资料
型号: 2SB1219GS
厂商: PANASONIC CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
文件页数: 2/4页
文件大小: 284K
代理商: 2SB1219GS
2SB1219G
2
SJC00353AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
VBE(sat) IC
VCE(sat) IC
hFE IC
PC Ta
IC VCE
IC IB
fT IE
Cob VCB
VCER RBE
0
160
40
120
80
Ambient temperature T
a (°C)
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
0
240
200
160
120
80
40
0
20
4
8
16
12
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0
800
700
600
500
400
300
200
100
Ta
= 25°C
IB
= 10 mA 9 mA
8 mA
7 mA
–6 mA
5 mA
4 mA
3 mA
2 mA
1 mA
0
10
8
6
4
2
Base current I
B (mA)
Collector
current
I
C
(mA
)
0
800
700
600
500
400
300
200
100
VCE
= 10 V
Ta
= 25°C
0.01
1
10
100
0.1
1
10
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
Collector current IC (A)
IC
/ I
B
= 10
Ta
= 25°C
75
°C
25
°C
0.01
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current IC (A)
IC
/ I
B
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
0
600
500
400
300
200
100
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
0.01
0.1
1
10
Collector current IC (A)
1
10
100
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
0
240
200
160
120
80
40
Emitter current I
E (mA)
VCB
= 10 V
Ta
= 25°C
0
1
24
20
16
12
8
4
10
100
Collector-base voltage V
CB (V)
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
1
10
100
1 000
Base-emitter resistance R
BE (k)
0
120
100
80
60
40
20
Collector-emitter
voltage
(Resistor
between
B
and
E)
V
CER
(V)
IC
= 2 mA
Ta
= 25°C
2SB1219A
2SB1219
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