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参数资料
| 型号： | 2SB1219GS |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 284K |
| 代理商： | 2SB1219GS |
2SB1219G
2
SJC00353AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
VBE(sat) IC
VCE(sat) IC
hFE IC
PC Ta
IC VCE
IC IB
fT IE
Cob VCB
VCER RBE
0
160
40
120
80
Ambient temperature T
a (°C)
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
0
240
200
160
120
80
40
0
20
4
8
16
12
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0
800
700
600
500
400
300
200
100
Ta
= 25°C
IB
= 10 mA 9 mA
8 mA
7 mA
–6 mA
5 mA
4 mA
3 mA
2 mA
1 mA
0
10
8
6
4
2
Base current I
B (mA)
Collector
current
I
C
(mA
)
0
800
700
600
500
400
300
200
100
VCE
= 10 V
Ta
= 25°C
0.01
1
10
100
0.1
1
10
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
Collector current IC (A)
IC
/ I
B
= 10
Ta
= 25°C
75
°C
25
°C
0.01
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current IC (A)
IC
/ I
B
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
0
600
500
400
300
200
100
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
0.01
0.1
1
10
Collector current IC (A)
1
10
100
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
0
240
200
160
120
80
40
Emitter current I
E (mA)
VCB
= 10 V
Ta
= 25°C
0
1
24
20
16
12
8
4
10
100
Collector-base voltage V
CB (V)
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
1
10
100
1 000
Base-emitter resistance R
BE (k)
0
120
100
80
60
40
20
Collector-emitter
voltage
(Resistor
between
B
and
E)
V
CER
(V)
IC
= 2 mA
Ta
= 25°C
2SB1219A
2SB1219
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SB1220 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB12200RL | 功能描述:TRANS PNP 150VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1220GRL | 功能描述:TRANS PNP 150VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB12210QA | 功能描述:TRANS PNP 200VCEO 70MA TO-92NL RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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