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参数资料
| 型号： | 2SB1238TV2 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 700 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 2SB1238TV2 |
2SB1189 / 2SB1238
Transistors
Rev.A
2/2
Electrical characteristics curves
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.1 Ground emitter output characteristics
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
10
8
6
4
2
0
Ta
=25°C
IB
= 0mA
1mA
2mA
3mA
4mA
5mA
6mA
7mA
8mA
10mA
9mA
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE
(V)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
Fig.2 Ground emitter propagation characteristics
50
10
5
2
1
0.5
0.1
0.2
20
1.4 1.6
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Ta
=25
°C
VCE
= 6V
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
Fig.3 DC current gain vs. collector current
50
100
200
500
200
100
20
10
1
2
5
50
500
Ta
=25
°C
VCE
= 5V
1V
3V
EMITTER CURRENT : IE
(mA)
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T
(MHz)
Fig.5 Gain bandwidth product vs. emitter current
500
200
20
50
100
10
5
220
50
Ta
=25
°C
VCE
=
5V
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB
(V)
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:
C
ib
(pF)
Fig.7 Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
20
10
20
50
100
2
1
0.5
5
IC
=0A
Cib
f
=1MHz
Ta
=25
°C
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCE
(V)
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
C
ob
(pF)
Fig.6 Collector output capacitance
20
10
20
50
100
2
1
0.5
5
vs. collector-base voltage
IE
=0A
Cob
f
=1MHz
Ta
=25
°C
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage
vs.collector current
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
200
100
20
10
1
5
50
500
IC/IB
=20/1
IC/IB
=10/1
Ta
=25
°C
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
Fig.8 Safe operating area (2SB1189)
1.0
0.2
0.1
0.02
0.01
0.002
0.005
0.001
0.05
0.5
100
20
10
2
1
0.1 0.2
0.5
5
50
Ta
=25
°C
Single pulse
Pw
=
10ms
Pw
=
10ms
DC
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