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参数资料
| 型号： | 2SB1266 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-220MF, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | 2SB1266 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1266R | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1266Q | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1277TL2/R | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1288P | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SB1290/D | 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1268R-E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| 2SB1269R-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 50V 7A TO-220MF |
| 2SB1274 | 制造商:n/a 功能描述:2SB1274 N9H1D |
| 2SB1274R | 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1274S | 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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