型号: | 2SB1266 |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | TO-220MF, 3 PIN |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 106K |
代理商: | 2SB1266 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SB1266R | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SB1266Q | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SB1277TL2/R | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1288P | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SB1290/D | 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SB1268R-E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
2SB1269R-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 50V 7A TO-220MF |
2SB1274 | 制造商:n/a 功能描述:2SB1274 N9H1D |
2SB1274R | 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SB1274S | 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |