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参数资料
| 型号： | 2SB1275/NQ |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | 2SB1275/NQ |
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PDF描述 |
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| 2SA1727/PQ | 1000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1275TLP | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1278 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR FTL -80V -.7A .75W ECB |
| 2SB1279 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR FTL -15V -.2A .3W ECB |
| 2SB1282-4100 | 功能描述:达林顿晶体管 V=-100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SB1283 | 制造商:Shindengen 功能描述: |
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