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参数资料
| 型号： | 2SB1283 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ITO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 281K |
| 代理商： | 2SB1283 |
0.1
1
-7
-6
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-4
-3
-2
-1
0
2SB1283
IB1 = IC/600
IB2 = IC/600
VBB2 = 4V
VCC = 30V
Tc = 25
°C
ts
ton
tf
Switching Time - IC
Collector Current IC [A]
Switching
Time
t
SW
[
s]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1299Q | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1309P | 0.7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126F |
| 2SB1316F5TLA | 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1320R | 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1322AQ | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1284-4000 | 功能描述:达林顿晶体管 VCEO=-100 IC=-10 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SB1285-7100 | 功能描述:达林顿晶体管 VCEO=-100 IC=-15 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SB1285-7112 | 功能描述:达林顿晶体管 VCEO=-100 IC=-15 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SB1287 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR TO-220FP -100V -2A 20W BCE |
| 2SB1290 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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