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参数资料
| 型号： | 2SB1296 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SPA, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SB1296 |
2SB1296/2SD1936
No.2468—2/5
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ITR09552
IC -- VBE
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2SD1936
VCE=2V
ITR09548
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ITR09549
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2SD1936
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--3mA
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6mA
--5mA
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Collector
Current,
I C
—
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE — V
Collector
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Collector-to-Emitter Voltage, VCE — V
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Current,
I C
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mA
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Current,
I C
—
mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE — VBase-to-Emitter Voltage, VBE — V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1296-S | 800 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1296T | 800 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1296-T | 800 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1944H | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SD1944/H | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB12990P | 功能描述:TRANS PNP 60VCEO 3A TO-220F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1299P | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1301-T2 | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SB1302S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1302T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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