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参数资料
| 型号： | 2SB1296 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SPA, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SB1296 |
2SB1296/2SD1936
No.2468—4/5
020
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160
0
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120
160
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240
280
320
PC -- Ta
ITR09566
2SB1296 / 2SD1936
ITR09564
A S O
10ms1ms
--1.0
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5
7
2
3
2
3
5
3
5
3
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--10
--0.1
3
2
--1.0
--0.01
ICP=—3A
IC=—0.8A
DC
operation
300
s
ITR09565
A S O
1.0
3
5
7
2
3
2
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5
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3
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0.1
3
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0.01
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2SD1936
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--10
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2SB1296
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VCE=2V
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7
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ITR09563
fT -- IC
Ta=25°C
Single pulse
10ms
1ms
ICP=3A
IC=0.8A
DC
operation
300
s
Ta=25°C
Single pulse
Gain-Bandwidth
Product,
f T
—
MHz
Collector Current, IC — mA
Gain-Bandwidth
Product,
f T
—
MHz
Collector Current, IC — mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE — V
Collector
Current,
I C
—
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE — V
Collector
Current,
I C
—
A
Collector
Dissipation,
P
C
—
mW
Ambient Temperature, Ta —C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1296-S | 800 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1296T | 800 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1296-T | 800 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1944H | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SD1944/H | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB12990P | 功能描述:TRANS PNP 60VCEO 3A TO-220F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1299P | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1301-T2 | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SB1302S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1302T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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