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参数资料
| 型号： | 2SB1302-T |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | 2SB1302-T |
2SB1302
No.2555-2/4
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=--20V, IE=0A
--500
nA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=--4V, IC=0A
--500
nA
DC Current Gain
hFE1VCE=--2V, IC=--500mA
100*
400*
hFE2VCE=--2V, IC=--4A
60
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=--5V, IC=--200mA
320
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=--10V, f=1MHz
60
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=--3A, IB=--60mA
--250
--500
mV
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=--3A, IB=--60mA
--1.0
--1.3
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=--10μA, IE=0A
--25
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=--1mA, RBE=∞
--20
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=--10μA, IC=0A
--5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
40
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
200
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
10
ns
*: The 2SB1302 is classified by 500mA hFE as follows:
Rank
R
S
T
hFE
100 to 200
140 to 280
200 to 400
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-004
VR
RB
VCC= --10V
VBE=5V
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
RL
100μF470μF
PW=20μs
IB1
D.C.≤1%
IB2
IC=10IB1= --10IB2= --2A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1302T | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SB1302-S | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1308R | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1308Q | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1317Q | 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1302T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1308T100P | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1308T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1308T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1316TL | 功能描述:达林顿晶体管 D-PACK BCE PNP DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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