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参数资料
| 型号： | 2SB1302-T |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | 2SB1302-T |
2SB1302
No.2555-3/4
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
f T -- IC
Collector Current, IC -- A
Gain-Brandwidth
Product,
f
T
--
MHz
Cob -- VCB
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
ITR09569
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
0
--4
--5
--3
--2
--1
--6
VCE= --2V
ITR09567
0
--0.4
--0.2
--0.8
--0.6
--1.0
0
--1
--2
--3
--4
--5
IB=0mA
--40mA
--30mA
--20mA
--10mA
ITR09568
ITR09570
--0.1
--0.01
3
23
5
--1.0
--10
57
7
72
3
5
2
100
1000
5
3
2
5
3
2
7
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
--50mA
0--2
--1
--4
--3
--5
0
--1
--2
--3
--4
--5
IB=0mA
--40mA
--30mA
--25mA
--15mA
--35mA
--20mA
--10mA
--5mA
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
From top
--
100mA
--
90mA
--
80mA
--70mA
--60mA
ITR09573
5
--0.1
2
--0.01
23
35
7
77
--1.0
23
5
--10
5
7
--100
7
--1000
5
3
2
3
2
ITR09574
5
--1.0
2
--0.1
--0.01
23
5 7
7
--10
3
--1.0
5
7
3
--10
5
3
2
IC / IB=50
--0.1
23
--0.01
23
3
57
7
--1.0
7 --10
5
2
7
100
5
2
3
7
1000
5
3
ITR09571
7
--10
23
--1.0
23
35
7
5
10
7
100
5
3
2
ITR09572
VCE= --5V
f=1MHz
Ta= --25°C
25°C
75°C
IC / IB=50
Ta= --25°C
25°C
75
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1302T | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SB1302-S | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1308R | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1308Q | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1317Q | 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1302T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1308T100P | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1308T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1308T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1316TL | 功能描述:达林顿晶体管 D-PACK BCE PNP DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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