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参数资料
| 型号： | 2SB1308 |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SOT-89, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | 2SB1308 |
2SB1308
PNP
Plastic-Encapsulate
Transistors
A
B
C
D
G
H
F
E
K
J
SOT-89
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
www.mccsemi.com
1 of 2
Features
CLASSIFICATION OF hFE
Rank
P
Q
R
Range
82-180
120-270
180-390
Marking
BFP
BFQ
BFR
Revision: 3
2007/03/01
1
2
3
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
TM
Micro Commercial Components
Power dissipation: PCM = 0.5W(Tamb=25 )
Collector current: ICM = -3A
Collector-base voltage: V(BR)CBO = -30V
Operating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55
to + 150
Electrical Characteristics @ 25
Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
VCEO
Collector-Emitter Voltage
(IC=-50
A, IE=0)
-20
---
V
VCBO
Collector-Base Voltage
(IC=-1mA, IB=0)
-30
---
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
(IE=-50
A, IC=0)
-6.0
---
V
ICBO
Collector cut-off Current
(VCB=-20V, IE=0)
---
-0.5
A
IEBO
Emitter cut-off Current
(VEB=-5V, IC=0)
---
-0.5
A
hFE
DC current gain
(VCE=-2V, IC=-0.5A)
82
---
390
---
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC=-1.5A, IB=-0.15A)
fT
Transition Frequency
(VCE=-6.0Vdc, IC=-50Adc,f=30MHz)
---
-0.45
50
---
MHz
V
Case Material: Molded Plastic.
UL Flammability
Classification Rating 94V-0
2SB1308-Q
2SB1308-P
2SB1308-R
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1308-P | 3000 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1321AS | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1321 | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1321Q | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1321AR | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1308T100P | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1308T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1308T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1316TL | 功能描述:达林顿晶体管 D-PACK BCE PNP DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SB1319 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANS. M-TYPE -30V -5A 1W BCE |
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