| 型号: | 2SB1323 |
| 元件分类: | 功率晶体管 |
| 英文描述: | 3 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装: | PCP, 3 PIN |
| 文件页数: | 2/4页 |
| 文件大小: | 46K |
| 代理商: | 2SB1323 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1612 | Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
| 2SB1643 | Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification) |
| 2SB1645 | Silicon PNP triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) |
| 2SB1645P | 8 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1708 | 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1324-TD-E | 制造商:SANYO 功能描述:omo 30V 3A 70 to PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 30V 3A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SB1325-TD-E | 制造商:SANYO 功能描述:omo 20V 4A 70 to PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 20V 4A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SB1326TV2Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1326TV2R | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1333 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |