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参数资料
| 型号： | 2SB1324 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | 2SB1324 |
2SB1324 / 2SD1998
No.3130-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)2V, IC=(--)0.5A
100
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(55)40
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
(--0.25)0.2
(--0.6)0.5
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
(--)1.5
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)40
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO1IC=(--)10μA, RBE=∞
(--)40
V
V(BR)CEO2IC=(--)10μA, RBE=∞
(--)30
V
Diode Forwad Voltage
VF
IF=0.5A
1.5
V
Base-to-Emitter Resistance
RBE
0.8
kΩ
Package Dimensions
Electrical Connection
unit : mm (typ)
7007B-004
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
ITR09586
35
--0.1
--1.0
72
--0.01
23
2
3
55
7
100
10
3
2
3
2
5
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
ITR09587
35
0.1
1.0
72
0.01
23
2
3
55
7
100
3
2
3
2
5
7
10
5
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
VCE= --2V
VCE=2V
2SD1998
2SB1324
RBE
Base
Collector
Emitter
PNP
RBE
Base
Collector
Emitter
NPN
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