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参数资料
| 型号： | 2SB1393P |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-220, FULL PACK-3 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 165K |
| 代理商： | 2SB1393P |
2
Power Transistors
2SB1393, 2SB1393A
PC —Ta
IC —VBE
VCE(sat) —IC
hFE —IC
fT —IC
Cob — VCB
Area of safe operation (ASO)
Rth(t) —t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
40
30
10
20
(1) T
C=Ta
(2) With a 100
× 100 × 2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(P
C=2.0W)
(1)
(2)
(3)
Ambient temperature Ta (C)
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
0
–2.0
–1.6
– 0.4
–1.2
– 0.8
0
–6
–5
–4
–3
–2
–1
V
CE=–4V
–25C
25C
T
C=100C
Base to emitter voltage V
BE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
– 0.3
–3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C/IB=10
25C
T
C=100C
–25C
Collector current I
C
(A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
– 0.3
–3
10
10000
1000
100
30
300
3000
V
CE=–4V
T
C=125C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
– 0.3
–3
1
1000
100
10
3
30
300
V
CE=–5V
f=1MHz
T
C=25C
Collector current I
C
(A)
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
–1
–3
–10
–30
–100
10
10000
1000
100
30
300
3000
I
E=0
f=1MHz
T
C=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
–1
–10
–100
–1000
–3
–30
–300
– 0.001
– 0.003
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
Non
repetitive
pulse
T
C=25C
t=1ms
I
CP
I
C
10ms
2SB1393A
2SB1393
DC
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
10–4
10
10–3
10–1
10–2
1103
102
104
0.1
1
10
100
10000
1000
Note: R
th was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1) P
T=10V × 0.2A (2W) and without heat sink
(2) P
T=10V × 1.0A (10W) and with a 100 × 100 × 2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
(t)
(C/W
)
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