- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33338 > 2SB1396U (SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD) 3 A, 10 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SB1396U |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 10 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | 2SB1396U |
2SB1396
No.2911-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=--2V, IC=--0.5A
140*
560*
hFE2VCE=--2V, IC=--3A
70
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=--2V, IC=--0.3A
400
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=--10V, f=1MHz
26
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=--1.5A, IB=--30mA
--220
--400
mV
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=--1.5A, IB=--30mA
--0.9
--1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=--10μA, IE=0A
--15
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=--1mA, RBE=∞
--10
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=--10μA, IC=0A
--7
V
*: The 2SB1396 is classified by 0.5A hFE as follows:
Rank
S
T
U
hFE
140 to 280
200 to 400
280 to 560
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7007B-004
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
-
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V ITR09638
0
--1
--3
--2
--4
--5
0
--40
--80
--120
--160
--200
ITR09637
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
0
--0.8
--0.4
--1.2
--1.6
--2.0
IB=0mA
--10mA
--8mA
--6mA
--4mA
--2mA
IB=0mA
--0.1mA
--0.2mA
--0.3mA
--0.4mA
--0.5mA
From top
--
16mA
--
14mA
--
12mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1396 | 3 A, 10 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1396-U | 3 A, 10 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1396S | 3 A, 10 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1398Q | 5000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1399 | 10 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1398 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB13980PA | 功能描述:TRANS PNP LF AMP 25VCEO MT-2 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB13980QA | 功能描述:TRANS PNP LF AMP 25VCEO MT-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1398QTA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1398TA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。