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参数资料
| 型号： | 2SB1399 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-220FM, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | 2SB1399 |
2SB1399
Silicon PNP Triple Diffused
ADE-208-873 (Z)
1st. Edition
Sep. 2000
Application
Low frequency power amplifier
Outline
TO-220FM
1.0 k
(Typ)
200
(Typ)
1
2
3
1. Base
2. Collector
3. Emitter
ID
1
2 3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1400 | 6 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1400 | 6 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1401 | 0.3 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1403 | 6 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1403 | 6 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1412TL/Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1412TLP | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TRR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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