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参数资料
| 型号： | 2SB1399 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-220FM, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | 2SB1399 |
2SB1399
4
–0.1
–0.3
–1.0
–3
–10
Collector current IC (A)
–0.3
–1.0
–3
–10
–30
–100
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE
(sat)
(V)
Base
to
emitter
saturation
voltage
V
BE
(sat)
(V)
Saturation Voltage vs. Collector Current
TC = 25°C
VBE (sat)
VCE (sat)
lC/lB = 200
500
200
0.1
0.3
1.0
3
10
1 m
10 m
100 m
1.0
10
100
1,000
Thermal
resistance
θ
j-c
(
°C/W)
Time t (s)
Transient Thermal Resistance
TC = 25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1400 | 6 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SB1412TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TRR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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