- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录49909 > 2SB1463GS (PANASONIC CORP) 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SB1463GS |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 229K |
| 代理商： | 2SB1463GS |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1463GR | 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1473R | 500 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1474TL | 4000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1474 | 4000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1475B43-T2-A | 500 mA, 16 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1463JRL | 功能描述:TRANS PNP 150VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1472-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL PNP 60V 7A TO-220MF |
| 2SB1474TL | 功能描述:达林顿晶体管 DARL PNP 80V 4A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SB1481(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D |
| 2SB1481(TOJS,Q,M) | 功能描述:TRANS PNP 4A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:2μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 3A，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。