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参数资料
| 型号： | 2SB1465 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.3 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | 2SB1465 |
Data Sheet D16130EJ2V0DS
2
2SB1465
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB =
300 V, IE = 0
10
μA
Collector cutoff current
ICEO
VCE =
60 V, RBE = ∞
10
μA
Emitter cutoff current
IEBO
VEB =
5 V, IC = 0
10
μA
DC current gain
Note
hFE1
VCE =
1.5 V, IC = 20 mA
1,000
DC current gain
Note
hFE2
VCE =
1.5 V, IC = 100 mA
1,500
6,000
30,000
Collector saturation voltage
Note
VCE(sat)
IC =
100 mA, IB = 0.2 mA
0.8
1.5
V
Base saturation voltage
Note
VBE(sat)
IC =
100 mA, IB = 0.2 mA
1.4
2.0
V
Gain bandwidth product
fT
VCE =
1.5 V, IC = 20 mA
25
MHz
Collector capacitance
Cob
VCB =
10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz
30
pF
Note
Pulsed PW
≤ 350
μs, duty cycle ≤ 2%
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°C)
To
ta
lP
ow
er
D
is
sipa
tion
P
T
(W)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
C
ol
le
ct
or
Cu
rr
en
t
IC
(
A
)
Ambient Temperature Ta (
°C)
IC
Derat
ing
dT
(
%
)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Case Temperature TC (
°C)
Notes 1. 2-mm thick aluminum
heatsink
2. No insulating board
3. Silicon grease coating
With infinite heatsink
Single pulse test
Collec
tor
Current
IC
(
m
A
)
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