参数资料
型号: 2SB1467Q
厂商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 8 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装: TO-220ML, 3 PIN
文件页数: 3/4页
文件大小: 37K
代理商: 2SB1467Q
2SB1467/2SD2218
No.3363–3/4
ITR09781
A S O
10ms 1ms
--1.0
3
5
7
2
3
2
3
55
3
77
7
--10
--100
--1.0
3
2
--10
--0.1
ICP=–15A
IC=–8A
DC
operation
ITR09777
VCE(sat) -- IC
5
--0.1
2
--0.01
23
35
--1.0
23
5
2
--10
--0.1
--1.0
5
3
--10
5
--100
5
3
5
2
--0.01
2
3
2
I C
/ I B
=20
I C
/ I B
=10
ITR09780
VBE(sat) -- IC
5
1.0
2
0.1
0.01
23
5
10
32
1.0
5
3
2
10
5
3
100
5
3
2
ITR09778
VCE(sat) -- IC
5
0.1
2
0.01
23
35
1.0
23
5
2
10
0.1
1.0
5
3
10
5
3
5
2
0.01
2
100
5
3
2
ITR09779
VBE(sat) -- IC
5
--1.0
2
--0.1
--0.01
23
5
--10
32
--1.0
5
3
2
--10
5
3
--100
5
3
2
100ms
ITR09782
A S O
1.0
3
5
7
2
3
2
3
55
3
77
7
10
100
1.0
3
2
10
0.1
ITR09775
hFE -- IC
--0.1
--0.01
3
23
5
--1.0
--10
5
23
5
2
100
1000
5
3
2
5
3
2
10
7
5
3
ITR09776
hFE -- IC
0.1
0.01
3
23
5
1.0
10
5
23
5
2
100
1000
5
3
2
5
3
2
10
5
7
3
2SD2218
VCE=2V
2SB1467
VCE= --2V
2SB1467
IC / IB=20
2SD2218
IC / IB=20
2SB1467
2SD2218
I C
/ I B
=20
I C
/ I B
=10
2SB1467
10ms
1ms
ICP=15A
IC=8A
DC
operation
100ms
2SD2218
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
1ms to 100ms : Single pulse
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
A
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