型号: | 2SB1467Q |
厂商: | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 8 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | TO-220ML, 3 PIN |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 37K |
代理商: | 2SB1467Q |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SB1467-Q | 8 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SB1467-S | 8 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD2228-T2 | 500 mA, 16 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD2228D44-T2-A | 500 mA, 16 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD2228D43-T2-A | 500 mA, 16 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SB1472-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL PNP 60V 7A TO-220MF |
2SB1474TL | 功能描述:达林顿晶体管 DARL PNP 80V 4A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
2SB1481(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D |
2SB1481(TOJS,Q,M) | 功能描述:TRANS PNP 4A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 6mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):2μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 3A,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
2SB14880PA | 功能描述:TRANS PNP 400VCEO 500MA MT-2 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |