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参数资料
| 型号： | 2SB1475B44-T2 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 16 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SUPER MINIATURE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 183K |
| 代理商： | 2SB1475B44-T2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1475-T2-A | 500 mA, 16 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1499Q | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1499A | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1499AP | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1505-E | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1481(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D |
| 2SB1481(TOJS,Q,M) | 功能描述:TRANS PNP 4A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:2μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 3A，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SB14880PA | 功能描述:TRANS PNP 400VCEO 500MA MT-2 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1495(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D |
| 2SB1495,Q(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1.5mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 2A，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
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