参数资料
型号: 2SB1494
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 25 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装: TO-3P, 3 PIN
文件页数: 8/9页
文件大小: 169K
代理商: 2SB1494
2SB1494
4
Saturation Voltage vs. Collector Current
TC = 25°C
IC/IB = 200
–10
–3
–1.0
–0.3
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Base
to
emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V)
–0.1
–0.1 –0.3
–30
Collector current IC (A)
–3
–1.0
–10
–100
VBE(sat)
VCE(sat)
Transient Thermal Resistance
TC = 25°C
Time t (s)
10
3
1.0
0.3
0.1
Thermal
resistance
θ
j-c
(
°C/W)
1 m
10 m
100 m
1.0
10
100
1000
相关PDF资料
PDF描述
2SB1498 0.3 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1500P 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1500Q 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1500 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1504R 8 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SB1495(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D
2SB1495,Q(J 功能描述:TRANS PNP 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1.5mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 2A,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1
2SB1495,Q(M 功能描述:TRANS PNP 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1.5mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 2A,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1
2SB15040QA 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SB15040RA 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR