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参数资料
| 型号： | 2SB1594-C |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-21F1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | 2SB1594-C |
2SB1594
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (Darlington Power Transistor)
2SB1594
Power Amplifier Applications
High breakdown voltage: VCEO = 160 V (min)
Complementary to 2SD2449
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
160
V
Collector-emitter voltage
VCEO
160
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
10
A
Base current
IB
1
A
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
PC
150
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Equivalent Circuit
Electrical Characteristics (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 160 V, IE = 0
―
5
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
―
5
A
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 50 mA, IB = 0
160
―
V
DC current gain (1)
hFE (1)
(Note)
VCE = 5 V, IC = 8 A
3000
―
20000
DC current gain (2)
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 12 A
2000
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 8 A, IB = 8 mA
―
3.0
V
Base-emitter voltage
VBE
VCE = 5 V, IC = 8 A
―
3.0
V
Transition frequency
fT
VCE = 5 V, IC = 1 A
―
30
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
150
―
pF
Note: hFE (1) classification A: 3000 to 10000, B: 5000 to 15000, C: 7000 to 20000
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-21F1A
Weight: 9.75 g (typ.)
BASE
EMITTER
≈ 10
COLLECTOR
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1594-B | 10 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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参数描述 |
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