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参数资料
| 型号： | 2SB1594-C |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 185K |
| 代理商： | 2SB1594-C |
2SB1594
2006-11-21
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (Darlington Power Transistor)
2SB1594
Power Amplifier Applications
High breakdown voltage: VCEO = 160 V (min)
Complementary to 2SD2449
Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
160
V
Collector-emitter voltage
VCEO
160
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
10
A
Base current
IB
1
A
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
PC
150
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the
absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-21F1A
Weight: 9.75 g (typ.)
BASE
EMITTER
≈ 10
COLLECTOR
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PDF描述 |
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