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参数资料
| 型号： | 2SB1594-C |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 185K |
| 代理商： | 2SB1594-C |
2SB1594
2006-11-21
3
Ambient temperature Ta (°C)
PC – Ta
C
ollec
tor
po
wer
dis
si
pati
on
P
C
(W
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
hFE – IC
D
C
c
urre
nt
ga
in
h
FE
Collector current IC (A)
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
0
4
8
2
4
6
8
IB = 100 A
600
400
300
200
Common emitter
Tc = 25°C
10
2
6
10
250
350
450
500
550
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
0
4
8
1
2
3
4
Common emitter
VCE = 5 V
5
2
6
10
Tc = 25°C
25
100
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
Col
lect
or
-e
m
itte
rs
a
tu
ra
tion
volta
g
e
V
CE
(s
at
)
(
V
)
300
0.03
Common emitter
VCE = 5 V
500
1000
3000
5000
10000
30000
50000
0.3
1
30
Tc = 100°C
25
0.1
3
100
50
10
100
0.3
10
Tc = 25°C
100
25
Common emitter
IC/IB = 250
1
0.030.05
0.3 0.5
1
5
0.1
3
10
0.5
3
0.1
5
0
40
Tc = Ta
Infinite heat sink
80
40
80
120
160
200
120
160
10
30
100
0.05
2
10
0.1
0.3
1
3
5
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
IC max (continuous)
IC max (pulsed)*
10 ms*
100 ms*
DC operation
Tc = 25°C
300
VCEO
max
3
0.5
30
1 ms*
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