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参数资料
| 型号： | 2SB1667(SM)-GR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-10S2, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 162K |
| 代理商： | 2SB1667(SM)-GR |
2SB1667(SM)
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type
2SB1667(SM)
Audio Frequency Power Amplifier Applications
Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.7 V (max)
(IC = 3 A, IB = 0.3 A)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
60
V
Collector-emitter voltage
VCEO
60
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
Collector current
IC
3
A
Base current
IB
0.5
A
Ta = 25°C
1.5
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
25
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 60 V, IE = 0
―
100
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 7 V, IC = 0
―
100
A
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 50 mA, IB = 0
60
―
V
hFE (1)
(Note)
VCE = 5 V, IC = 0.5 A
60
―
300
DC current gain
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 3 A
20
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 3 A, IB = 0.3 A
―
0.5
1.7
V
Base-emitter voltage
VBE
VCE = 5 A, IC = 0.5 A
―
0.7
1.0
V
Transition frequency
fT
VCE = 5 V, IC = 0.5 A
―
9
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
150
―
pF
Turn-on time
ton
―
0.4
―
Storage time
tstg
―
1.7
―
Switching time
Fall time
tf
IB1 = IB2 = 0.2 A, duty cycle ≤ 1%
―
0.5
―
s
Note: hFE (1) classification O: 60 to 120, Y: 100 to 200, GR: 150 to 300
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-10S2A
Weight: 1.4 g (typ.)
I B1
20 s
VCC = 30 V
Output
15
IB2
IB1
Input
I B2
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