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参数资料
| 型号： | 2SB1682 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-16C1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 370K |
| 代理商： | 2SB1682 |
2SB1682
2005-07-27
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type (Darlington power transistor)
2SB1682
○
Power Amplifier Applications
○
High-Power Switching Applications
High-breakdown voltage: VCEO = 160 V (min)
Complementary to 2SD2636
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
160
V
Collector-emitter voltage
VCEO
160
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
DC
IC
8
Collector current
Pulse
ICP
15
A
Base current
IB
1
A
Collector power dissipation
PC
100
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Equivalent Circuit
Electrical Characteristics (Tc = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Conditions
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 160 V, IE = 0
―
10
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
―
10
A
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO IC = 10 mA, IB = 0
160
―
V
hFE (1)
VCE = 4 V, IC = 1 A
500
―
DC current gain
hFE (2)
VCE = 4 V, IC = 7 A
5000
―
15000
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 7 A, IB = 7 mA
―
3.0
V
Base-emitter voltage
VBE
VCE = 4 V, IC = 7 A
―
3.0
V
Transition frequency
fT
VCE = 10 V, IC = 1 A
―
35
―
MHz
Turn-on Time
ton
―
0.7
―
Storage Time
tstg
―
1.3
―
Switching Time
Fall Time
tf
―
0.7
―
s
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-16C1A
Weight: 4.7 g (typ.)
Base
Emitter
≈ 30
Collector
IB1
IB2
IB1
IB2
VCC
50 V
Output
Input
IB1 = IB2 = 7mA
Duty Cycle < 1%
20
s
7Ω
1.Base
2.Collector(heatsink)
3.Emitter
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