参数资料
型号: 2SB1682
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 8 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装: 2-16C1A, 3 PIN
文件页数: 5/5页
文件大小: 370K
代理商: 2SB1682
2SB1682
2005-07-27
5
相关PDF资料
PDF描述
2SB1688 50 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SB1688 50 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SB1695TL 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB554R 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2SB554 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
相关代理商/技术参数
参数描述
2SB1682(Q) 功能描述:达林顿晶体管 PNP 160V 2A Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
2SB1689T106 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1690KT146 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1690TL 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1691WL-TL-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP PWR Transistor,50V,1A,MPAK 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 1A 3-Pin MPAK T/R