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参数资料
| 型号： | 2SB1682 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-16C1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 370K |
| 代理商： | 2SB1682 |
2SB1682
2005-07-27
3
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2
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0.1
100
10
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100
0.1
1
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0. 1
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2
4
3
2
1
0
6
8
IC – VCE
VCE (sat) – IC
VBE (sat) – IC
IC– VBE
Tc
= 55°C
25
100
Common emitter
VCE = 4 V
Single non-repetitive pulse
Tc
= 55°C
25
100
Common emitter
β = 1000
Single non-repetitive pulse
Tc
= 55°C
25
100
Common emitter
β = 1000
Single non-repetitive pulse
IB
= 0.2 mA
Common emitter
Tc
= 25°C
Single non-repetitive pulse
1.0
0.8
0.5
0.6
0.4
0.3
Col
lect
or
cur
re
nt
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage VCE
(V)
C
ollect
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nt
I
C
(
A
)
Collector current
IC (A)
Col
lect
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-e
m
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volta
g
e
V
CE
(sa
t)
(V)
Collector current
IC (A)
Base-emitter voltage VBE (V)
Ba
se-
emi
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V
BE
(
sa
t)
(V)
hFE – IC
D
C
c
urr
en
tg
ai
n
h
FE
Collector current
IC (A)
1
10
100
1000
10000
0. 1
Tc
= 55°C
25
100
Common emitter
VCE = 4 V
Single non-repetitive pulse
10
100
Tc
= Ta Infinite heatsink
10
175
0
40
60
80
100
75
100
125
150
050
20
PC – Ta
Ambient Temperature Ta
(℃)
C
ollec
tor
po
wer
Di
sspat
io
n
P
C
(
W
)
25
120
100000
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