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参数资料
| 型号： | 2SC1775 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | 2SC1775 |
2SC1775, 2SC1775A
3
0
100
200
300
50
Ambient Temperature Ta (
°C)
Collector
Power
Dissipation
P
C
(mW)
Maximum Collector Dissipation Curve
100
150
0
2
8
6
4
10
20
10
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector
Current
I
C
(mA)
Typical Output Characteristics
30
40
50
10
8
6
2
A
IB = 0
P
C =
300
mW
4
0.03
0.01
3
1.0
0.30
0.10
10
0.4
0.3
0.2
Base to Emitter Voltage VBE (V)
Collector
Current
I
C
(mA)
Typical Transfer Characteristics
0.5
0.6
0.7
0.8
VCE = 12 V
Ta
=
100
°C
75
50
25
0
–25
0
400
200
1,000
800
600
1,200
0.1
0.03
0.01
Collector Current IC (mA)
DC
Current
Transfer
Ratio
h
FE
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
0.3
1.0
3
10
30
VCE = 12 V
Ta = 100
°C
75
50
25
0
–25
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC1775A | |
| 2SC2188 | Silicon NPN epitaxial planer type(For intermediate frequency amplification of TV image) |
| 2SC2209 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| 2SC2209R | 1.5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SC2263 | SI NPN EPITAXIAL PLANAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC1775A | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
| 2SC1775AE | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
| 2SC1775AETZ | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
| 2SC1775AF | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 509MA I(C) | TO-92 |
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