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参数资料
| 型号： | 2SC1846R |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, 35 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 250K |
| 代理商： | 2SC1846R |
2SC1846
2
SJD00094BED
PC Ta
IC VCE
IC IB
VCE(sat) IC
VBE(sat) IC
hFE IC
fT IE
Cob VCB
VCER RBE
0
6
5
4
3
2
1
0
200
40
80
160
120
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
Ambient temperature T
a (°C)
(1)With a 100
×100×2mm
Al heat sink
(2)Without heat sink
(1)
(2)
0
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
010
24
8
6
Collector
current
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
TC=25C
9mA
8mA
7mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
IB=10mA
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
012
210
48
6
Base current I
B (mA)
Collector
current
I
C
(A
)
VCE=10V
Ta=25C
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
IC/IB=10
–25C
25C
TC=100C
0.01
1
0.1
1
10
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
IC/IB=10
TC=–25C
25C
100C
0.01
1
0.1
1
10
100
1000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=10V
TC=100C
–25C
25C
1
10
100
0
40
80
120
200
160
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
VCB=10V
f=200MHz
TC=25C
1
10
100
0
50
40
30
20
10
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
IE=0
f=1MHz
TC=25C
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
Base-emitter resistance R
BE (k)
Collector-emitter
voltage
(Resistor
between
B
and
E)
V
CER
(V)
IC=10mA
TC=25C
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC1846S | 1 A, 35 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SC1881(K) | POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC1907RF | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC1907 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC1914A-11-G | 50 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC1846S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
| 2SC1847 | 制造商:DISCRETE SEMI 功能描述: |
| 2SC18470Q | 功能描述:TRANS NPN HF 40VCEO 1.5A TO-126 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC1847P | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| 2SC1847Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
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