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参数资料
| 型号： | 2SC2148 |
| 厂商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | 微波低噪声放大器NPN硅外延晶体管 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | 2SC2148 |
2SC2148, 2SC2149
2
2SC2148
2SC2149
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
600
400
200
0
50
100 110
140150
200
T
A
Ambient Temperature
°
C
P
T
T
m
free-air; R
th(j-a)
600
°
C/W
with infinite heat sink; R
th(j-c)
120
°
C/W
mounting on ceramic boad with solder
(Al
2
O
3
20
×
50
×
0.635 mm)
; R
th(j-a)
180
°
C/W
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
500
400
300
200
100
0
50
48
100
T
A
Ambient Temperature
°
C
150
200
free-air; R
th(j-a)
610
°
C/W
with infinite heat sink; R
th(j-c)
130
°
C/W
mounting on ceramic boad with solder
(Al
2
O
3
20
×
50
×
0.635 mm)
; R
th(j-a)
190
°
C/W
P
T
T
m
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PDF描述 |
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