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参数资料
| 型号： | 2SC2290A |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-13B1A, 4 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 176K |
| 代理商： | 2SC2290A |
2SC2290A
2007-11-01
2
Electrical Characteristics (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V (BR) CEO
IC = 100mA, IB = 0
18
—
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V (BR) CES
IC = 100mA, VEB = 0
45
—
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
V (BR) EBO
IE = 1mA, IC = 0
4
—
V
DC Current Gain
hFE
VCE = 5V, IC = 10A *
10
—
150
—
Collector Output Capacitance
Cob
VCB = 12.5V, IE = 0
f = 1MHz
—
500
pF
Power Gain
Gp
11.8
13.8
—
dB
Input Power
Pi
—
2.5
4
WPEP
Collector Efficiency
ηC
35
—
%
Intermodulation Distortion
IMD
VCC = 12.5V, f1 = 28.000MHz,
f2 = 28.001MHz
Iidle = 50mA
Po = 60WPEP (Fig.)
—
30
dB
Series Equivalent Input Impedance
Zin
—
1.02
j0.17
—
Series Equivalent Output Impedance
Zout
VCC = 12.5V, f1 = 28.000MHz,
f2 = 28.001MHz
Po = 60WPEP
—
0.86
j0.21
—
* Pulse Test:
Pulse Width ≤ 100μs, Duty Cycle ≤ 3%
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PDF描述 |
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参数描述 |
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