- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33360 > 2SC2383-O 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC2383-O |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | LEAD FREE, TO-92MOD, 2-5J1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | 2SC2383-O |
2SC2383
2006-11-09
3
Colle
ctor-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
CE
(sat)
(V)
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
Collector current IC (mA)
hFE – IC
DC
curre
nt
gain
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE (sat) – IC
Collector current IC (mA)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
Collector current IC (mA)
hFE – IC
DC
curre
nt
gain
h
FE
Colle
ctor-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
CE
(sat)
(V)
VCE (sat) – IC
30
10
100
300
500
100
10
30
50
1000
300
Common emitter
Ta = 25°C
VCE = 2 V
5
10
1.0
0
0.6
0.4
0.2
0.4
0.6
Common emitter
IC/IB = 10
Ta = 100°C
0.8
0
25
1.0
1.2
1.4
0.8
10
5
30
100
300
0.5
0.1
0.01
0.03
0.05
1000
0.3
Common emitter
IC/IB = 10
Ta = 100°C
25
0
30
10
100
300
500
100
10
30
50
1000
300
Common emitter
VCE = 10 V
VCE = 5 V
Ta = 100°C
25
0
1.0
0
0.6
0.4
0.2
4
8
12
Common emitter
Ta = 25°C
10
6
IB = 0.5 mA
15
16
4
3
2.5
20
24
28
0.8
2
1.5
1
0
10
5
30
100
300
0.5
0.1
0.01
0.03
0.05
1000
0.3
Common emitter
Ta = 25°C
IC/IB = 10
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2383R | 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2383-R | 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2383-Y | 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2383Y-BP | 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2383R-BP | 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC2383-O(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 160V 1A 3-Pin TO-92 Mod |
| 2SC2383-O(T6OMI,FM | 功能描述:TRANS NPN 1A 160V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC2383-O(TE6,F,M) | 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN, 160V, 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC2383-O,T6ALPF(M | 功能描述:TRANS NPN 1A 160V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC2383R | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。