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参数资料
| 型号： | 2SC2480 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification / oscillation / mixing) |
| 中文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | 2SC2480 |
2SC2480
2
SJC00116CED
IB VBE
IC VBE
hFE IC
PC Ta
IC VCE
IC IB
VCE(sat) IC
fT IE
Cre VCE
0
160
40
120
80
0
240
200
160
120
80
40
Ambient temperature T
a (°C)
Collector
power
dissipation
P
C
(mW)
0
24
20
16
12
8
4
048
12
16
IB
= 300 A
50
A
100
A
150
A
200
A
250
A
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA)
Ta
= 25°C
0
500
400
300
200
100
24
20
16
12
8
4
Base current I
B (A)
Collector
current
I C
(mA)
VCE
= 10 V
Ta
= 25°C
0
400
350
300
250
200
150
100
50
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
VCE
= 10 V
Ta
= 25°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Base
current
I
B
(
A)
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
60
50
40
30
20
10
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25°C
25
°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(mA)
0
0.1
240
200
160
120
80
40
1
10
100
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
VCE
= 10 V
Collector current I
C (mA)
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (mA)
IC
/ I
B
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
–25
°C
0.1
1
10
100
0
1 600
1 400
1 200
1 000
800
600
400
200
Transition
frequency
f
T
(MHz)
Emitter current I
E (mA)
VCB
= 10 V
Ta
= 25°C
0
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.1
1
10
100
Collector-emitter voltage V
CE (V)
IC
= 1 mA
f
= 10.7 MHz
Ta
= 25°C
Reverse
transfer
capacitance
C
re
(pF)
(Common
emitter)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
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