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参数资料
| 型号： | 2SC2632 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency high breakdown voltage amplification) |
| 中文描述： | 50 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SC-51, TO-92L-A1, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 225K |
| 代理商： | 2SC2632 |
Data Sheet D16538EJ2V0DS
3
2SK3716
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
dT
-
Percentage
of
Rated
Power
-
%
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
TC - Case Temperature -
°C
P
T-
Total
Power
Dissipation
-
W
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
TC - Case Temperature -
°C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I
D
-
Drain
Current
-
A
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
ID(pulse) = 240 A
ID(DC) = 60 A
DC
Single Pulse
TC = 25°C
PW = 100
s
1 ms
10 ms
RDS(on) Limited
(at VGS = 10 V)
VDS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
th(
t)
-
Transient
Thermal
Resistance
-
°C/W
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Channel to Ambient Rth(ch-A) = 125°C/W
Channel to Case Rth(ch-C) = 1.49°C/W
Single Pulse
PW - Pulse Width - s
100
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
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参数描述 |
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| 2SC26320R | 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 50MA TO-92L RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC2632R | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC2632-S | 制造商:MATSUSHITA 功能描述: 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
| 2SC2636 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS. TRANS. M-TYPE 30V .05A .4W BCE |
| 2SC2647 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS. TRANS. M-TYPE 30V .03A .25W BCE |
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