- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30526 > 2SC2654-M 7 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC2654-M |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | SC-46, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | 2SC2654-M |
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
1998
Document No. D16134EJ1V0DS00
Date Published April 2002 N CP(K)
Printed in Japan
SILICON POWER TRANSISTOR
2SC2654
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
DATA SHEET
2002
FEATURES
Large current capacitance in small dimension: IC(DC) = 7 A
Low collector saturation voltage:
VCE(sat) = 0.3 V MAX. (IC = 3.0 A)
Ideal for use in a lamp driver
Complementary transistor: 2SA1129
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
100
V
Collector to emitter voltage
VCEO
40
V
Emitter to base voltage
VEBO
7.0
V
Collector current (DC)
IC(DC)
7.0
A
Collector current (pulse)
IC(pulse)*15
A
Base current (DC)
IB(DC)
3.5
A
Total power dissipation
PT (Tc = 25
°C)
40
W
Total power dissipation
PT (Ta = 25
°C)
1.5
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
*PW
≤ 300
s, duty cycle ≤ 10%
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
Electrode Connection
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB = 40 V, IE = 0
10
A
Emitter cutoff current
IEBO
VEB = 5.0 V, IC = 0
10
A
DC current gain
hFE1
VCE = 1.0 V, IC = 3 A*
40
320
DC current gain
hFE2
VCE = 1.0 V, IC = 5 A*
20
Collector saturation voltage
VCE(sat)1
IC = 3.0 A, IB = 0.1 A*
0.3
V
Base saturation voltage
VBE(sat)1
IC = 3.0 A, IB = 0.1 A*
1.5
V
Collector saturation voltage
VCE(sat)2
IC = 5.0 A, IB = 0.5 A*
0.6
V
Base saturation voltage
VBE(sat)2
IC = 5.0 A, IB = 0.5 A*
2.0
V
Turn-on time
ton
1.0
s
Storage time
tstg
2.5
s
Fall time
tf
IC = 5.0 A, IB1 =
IB2 = 0.5 A
RL = 4.0
, VCC 20 V
PW
50
s, duty cycle ≤ 2 %
1.0
s
* Pulse test PW
≤ 350
s, duty cycle ≤ 2%
hFE1 classification M: 40 to 80, L: 60 to 120, K: 100 to 200, J: 160 to 320
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2654-AZ | 7 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC2655G-Y-AE3-R | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2655L-Y-AE3-R | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2655-Y-AE3-R | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2655G-Y-T9N-B | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC2655 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC2655-O(ND1,AF) | 功能描述:TRANS NPN 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC2655-O(ND2,AF) | 功能描述:TRANS NPN 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC2655-O(TE6,F,M) | 功能描述:TRANS NPN 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC2655-O,F(J | 功能描述:TRANS NPN 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。