型号: | 2SC2655L-Y-AE3-R |
厂商: | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | LEAD FREE PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 205K |
代理商: | 2SC2655L-Y-AE3-R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SC2655-Y-AE3-R | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SC2655-O(ND1,AF) | 功能描述:TRANS NPN 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
2SC2655-O(ND2,AF) | 功能描述:TRANS NPN 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
2SC2655-O(TE6,F,M) | 功能描述:TRANS NPN 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
2SC2655-O,F(J | 功能描述:TRANS NPN 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
2SC2655-TPE6 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-92VAR |