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参数资料
| 型号： | 2SC2655L-Y-AE3-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 205K |
| 代理商： | 2SC2655L-Y-AE3-R |
2SC2655
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R211-013,E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25°C ,unless otherwise specified )
PARAMETER
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
50
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
50
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
5
V
Collector Current
Ic
2
A
Collector Current(Pulse)
Icp(Note 1)
3
A
Base Current
IB
0.5
A
SOT-23
350
Collector Power Dissipation
TO-92NL
Pc
900
mW
Junction Temperature
TJ
150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
Note: 1. PW≦16ms, Duty Cycle≦50%.
2. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
IC= 10mA, IB= 0
50
V
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB=50V, IE= 0
1.0
μA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB= 5V, IC=0
1.0
μA
hFE(1)
VCE=2V, Ic=0.5A
70
240
DC Current Gain
hFE(2)
VCE=2V, Ic=1.5A
40
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
IC=1A, IB=0.05A
0.5
V
Base- Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
IC=1A, IB=0.05A
1.2
V
Transition Frequency
fT
VCE=2V, IC=0.5A
100
MHz
Collector Output Capacitance
Cob
VCB= 10V, IE= 0, f=1MHz
30
pF
Switching Time(Turn-on Time)
tON
10
IB1= -IB2=0.05A
DUTY CYCLE≦1%
0.1
μS
CLASSIFICATION OF hFE(1)
RANK
O
Y
RANGE
70-140
120-240
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2655-Y-AE3-R | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2655G-Y-T9N-B | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2655G-O-AE3-R | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2668-RTPE4 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2668TPE4 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC2655-O(ND1,AF) | 功能描述:TRANS NPN 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC2655-O(ND2,AF) | 功能描述:TRANS NPN 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC2655-O(TE6,F,M) | 功能描述:TRANS NPN 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC2655-O,F(J | 功能描述:TRANS NPN 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC2655-TPE6 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-92VAR |
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