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参数资料
| 型号： | 2SC2655L-Y-AE3-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 205K |
| 代理商： | 2SC2655L-Y-AE3-R |
2SC2655
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
4 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R211-013,E
TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.)
Ic-VBE
Base -Emitter Voltage, VBE(V)
Collector
Current,
Ic
(A)
00.4
0.8
1.2
0
0.5
1.0
1.5
1.6
2.0
Common Emitter
VCE=2 V
VBE(SAT) -Ic
Collector Current, Ic (A)
0.01
0.03
0.1
0.3
0.5
0.3
1
3
Base
Emitter
Saturat
ion
Vo
ltage,
V
B
E
(SAT)
Ta=100°С
Ta=25°С
Ta=-55°С
0.05
2.0
Ta=-55°С
Ta=100°С
Ta=25°С
5
Common Emitter
Ic/IB=20
Pc-Ta
Ambient Temperature,
Co
llector
Powe
rD
issipation,
Pc
(
m
W)
040
80
120
0
200
400
600
160
800
200
Collector-Emitter Voltage, VCE(V)
Safe Operating Area
C
oll
ecto
rC
urr
ent-Ic
(mA)
PT=1s
3
0.2
1
10
0.0
1
0.1
0.0
3
0.05
Collector
Current,
Ic(A)
0.3
Single Nonrepetitive Pulse
0.5
30
100
0.5
1
3
5
1ms*
10ms*
100ms*
1s*
Ic MAX.(PULSED)*
Ic
MAX.
(C
ONI
NUOUS
)
Ta=25°С
Curves Must Be Derated Linearly With
Increase In Temperature
DC Operation
240
1000
Ta (°С)
VCEO MAX.
UTC assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or
other parameters) listed in products specifications of any and all UTC products described or contained
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC2655-O(ND1,AF) | 功能描述:TRANS NPN 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC2655-O(ND2,AF) | 功能描述:TRANS NPN 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC2655-O(TE6,F,M) | 功能描述:TRANS NPN 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC2655-O,F(J | 功能描述:TRANS NPN 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC2655-TPE6 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-92VAR |
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