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参数资料
| 型号： | 2SC2881-O |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-5K1A, PW-MINI, SC-62, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 140K |
| 代理商： | 2SC2881-O |
2SC2881
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC2881
Voltage Amplifier Applications
Power Amplifier Applications
High voltage: VCEO = 120 V
High transition frequency: fT = 120 MHz (typ.)
Small flat package
PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on ceramic substrate)
Complementary to 2SA1201
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
120
V
Collector-emitter voltage
VCEO
120
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
800
mA
Base current
IB
160
mA
PC
500
Collector power dissipation
PC
(Note 1)
1000
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note 1: Mounted on a ceramic substrate (250 mm
2 × 0.8 t)
Unit: mm
PW-MINI
JEDEC
―
JEITA
SC-62
TOSHIBA
2-5K1A
Weight: 0.05 g (typ.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2SC2884-Y | 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2884 | 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2954 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SC2881-Y(T2LSUM,F | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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| 2SC2881-Y(TE12L,CF | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN VCEO 120V fT 120 MHz Ic 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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