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参数资料
| 型号： | 2SC3324GRTE85L |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | 2SC3324GRTE85L |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3325-O | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SC3325 | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SC3325OTE85L | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SC3326-A | 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SC3326-B | 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC3324GRTE85LF | 功能描述:两极晶体管 - BJT Audio Freq Low Audio Freq Low RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3325 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency Low Power Amplifier Applications |
| 2SC3325_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency Low Power Amplifier Applications |
| 2SC3325O | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Audio Frequency Low Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switching Applications |
| 2SC3325-O(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRAN NPN 50V 0.5A S-MINI |
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